Samsung 860 QVO unidad de estado sólido 2.5" 1000 GB Serial ATA III V-NAND MLC

Samsung 860 QVO unidad de estado sólido 2.5" 1000 GB Serial ATA III V-NAND MLC

MZ-76Q1T0BW
Categoría:
SDD Internos

Samsung 860 QVO, 1000 GB, 2.5", 550 MB/s, 6 Gbit/s

Samsung 860 QVO. SDD, capacidad: 1000 GB, Factor de forma de disco SSD: 2.5", Velocidad de lectura: 550 MB/s, Velocidad de escritura: 520 MB/s, Velocidad de transferencia de datos: 6 Gbit/s, Componente para: Portátil
Características
Factor de forma de disco SSD2.5"
SDD, capacidad1000 GB
InterfazSerial ATA III
Tipo de memoriaV-NAND MLC
Tipo de flash NANDMLC (Multi Level Cell)
NVMeNo
Componente paraPortátil
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
Velocidad de transferencia de datos6 Gbit/s
Velocidad de lectura550 MB/s
Velocidad de escritura520 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)96000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)89000 IOPS
Tipo de controladorSamsung MJX
Función DevSleepSi
Soporte TRIMSi
ECCSi
IEEE 1667Si
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Recolección activa de elementos no utilizadosSi
TCG Opal 2.0Si
calificación TBW1440
Control de energía
Voltaje de operación5 V
Consumo de energía (max)4 W
Consumo de energía (promedio)2,2 W
Consumo de energía (espera)0,03 W
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje-40 - 85 °C
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje5 - 95%
Golpes en funcionamiento1500 G
Peso y dimensiones
Ancho100 mm
Profundidad6,8 mm
Altura69,8 mm
Peso51 g
Otras características
Color del productoPlata

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