Samsung MZ-V7P512 unidad de estado sólido M.2 512 GB PCI Express 3.0 V-NAND MLC NVMe

Samsung MZ-V7P512 unidad de estado sólido M.2 512 GB PCI Express 3.0 V-NAND MLC NVMe

MZ-V7P512BW
Categoría:
SDD Internos

Samsung MZ-V7P512, 512 GB, M.2, 3500 MB/s

Samsung MZ-V7P512. SDD, capacidad: 512 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 3500 MB/s, Velocidad de escritura: 2300 MB/s, Componente para: PC
Características
Factor de forma de disco SSDM.2
SDD, capacidad512 GB
InterfazPCI Express 3.0
Tipo de memoriaV-NAND MLC
Tipo de flash NANDMLC (Multi Level Cell)
NVMeSi
Versión NVMe1.3
Componente paraPC
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
Velocidad de lectura3500 MB/s
Velocidad de escritura2300 MB/s
Tipo de controladorSamsung Phoenix
Carriles datos de interfaz PCI Expressx4
Soporte TRIMSi
Tiempo medio entre fallos1500000 h
TCG Opal 2.0Si
Acorde RoHSSi
Control de energía
Voltaje de operación3,3 V
Consumo de energía (lectura)5,2 W
Consumo de energía (escritura)5,2 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)5 mW
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje-45 - 85 °C
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento5 - 95%
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje5 - 95%
Vibración no operativa20 G
Golpes en funcionamiento1500 G
Golpe (fuera de operación)1500 G
Peso y dimensiones
Ancho80,2 mm
Profundidad2,38 mm
Altura22,1 mm
Otras características
Color del productoNegro
Fecha de lanzamiento4/16/2018

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