Samsung MZ-V7S1T0 unidad de estado sólido M.2 1000 GB PCI Express 3.0 V-NAND MLC NVMe

Samsung MZ-V7S1T0 unidad de estado sólido M.2 1000 GB PCI Express 3.0 V-NAND MLC NVMe

MZ-V7S1T0BW
Categoría:
SDD Internos

Samsung MZ-V7S1T0, 1000 GB, M.2, 3500 MB/s

Samsung MZ-V7S1T0. SDD, capacidad: 1000 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 3500 MB/s, Velocidad de escritura: 3300 MB/s, Componente para: PC
Características
Factor de forma de disco SSDM.2
SDD, capacidad1000 GB
InterfazPCI Express 3.0
Tipo de memoriaV-NAND MLC
NVMeSi
Versión NVMe1.3
Componente paraPC
Encriptación de hardwareSi
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
Velocidad de lectura3500 MB/s
Velocidad de escritura3300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)600000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)550000 IOPS
Tipo de controladorSamsung Phoenix
Carriles datos de interfaz PCI Expressx4
Función DevSleepSi
Soporte TRIMSi
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Control de energía
Voltaje de operación3,3 V
Consumo de energía (max)9 W
Consumo de energía (promedio)6 W
Consumo de energía (espera)0,003 W
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Peso y dimensiones
Ancho80,2 mm
Profundidad2,38 mm
Altura22,1 mm
Peso8 g
Empaquetado
Software incluidoMagician Software for SSD management
Tipo de embalajeCaja
Otras características
Fecha de lanzamiento1/22/2019

No hay ninguna opinión por el momento.

Escribe una opinión

Podría interesarle...

Crear nueva cuenta

¿Ya tienes una cuenta?
Accede o Restablece tu contraseña
Cookies